표 3. | Table 3. 본 논문의 결과와 기존 발표된 X-대역 저잡음 증폭기 결과의 비교 | Comparison of our work and the previously published X-band low noise amplifier results.

References	Frequency [GHz]	Gain [dB]	Noise figure [dB]	Input return loss [dB]	P1dB [dBm]	OIP3 [dBm]	Chip size (mm2)	Process
[10]	7~12	14	2.5	10	20	28	5	GaN HEMT
[11]	8~10	18	2.5~3	5~10	N.A.	37	N.A.	GaN HEMT
[12]	4.5~7	22.5~25.5	1.3~1.8	9~15	24	35	3.6	GaN HEMT
[13]	8~11	22.2~30.8	1.6~1.95	9.1~20.6	23	29	3.6	GaN HEMT
[14]	7~11	≥18	≥2	N.A.	N.A.	N.A.	6.0	GaN HEMT
[15]	10~12	24.4~25.2	1.3~1.75	≥10	N.A.	32.8	4.5	GaN HEMT
This work	8.7~11.5	20.5~24.1	1.5~2	9.45~20.8	17.1~24.3	27.4~32.4	2.62	GaN HEMT