표 5. | Table 5.
GaN HEMT 단위 소자에 대하여 추출된 비선형 모델 파라미터 값들(Cds model) | Nonlinear model parameters extracted for a GaN HEMT unit device(Cds model).
| Parameter | Value |
| C0_Cgd | 3.22078×10−15 F |
| C1_Cgd | 3.59715×10−12 F |
| C2_Cgd | 2.91272×10−12 F |
| A_Cgd | 2.40076 |
| B_Cgd | 6.0994×10−2 |
| Vm_Cgd | 1.34 V |
| Vp_Cgd | 1×101 V |