표 3. | Table 3.
GaN HEMT 단위 소자에 대하여 추출된 비선형 모델 파라미터 값들(Cgs model) | Nonlinear model parameters extracted for a GaN HEMT unit device(Cgs model).
| Parameter | Value |
| C0_Cgd | 2.54503×10−12 F |
| C1_Cgd | 8.53126×10−12 F |
| C2_Cgd | 1.78482×10−12 F |
| A_Cgd | 2.76139 |
| B_Cgd | 3.050874×101 |
| Vm_Cgd | 2.71477 V |
| Vp_Cgd | 4.5233×10−1 V |