표 1. | Table 1. 하이브리드 로드풀 측정으로부터 추출된 GaN HEMT 소자의 최적 소스 및 부하 임피던스 | Optimum source and load impedances of the GaN HEMT device extracted from the hybrid load-pull measurement.
| Frequency | 3.2 GHz |
| Z′S(package) | 0.0404−j0.1201 Ω |
| Z′L(package) | 0.0599−j0.0945 Ω |
| ZS(Die) | 0.0402+j0.0189 Ω |
| ZL(Die) | 0.0593+j0.0241 Ω |
| Pout | 51.9 dBm |
| Pin | 39.8 dBm |
| Gain | 12.1 dB |
| PAE | 48.4 % |