표 1. | Table 1. 총 게이트 폭이 800
μ
m인 AlGaN/ GaN HEMT 소자의 전기적 특성 | Electrical characteristics of total gate width 800
μ
m AlGaN/GaN HEMT.
항목
총 게이트폭 800
μ
m 소자
최대 트랜스컨덕턴스 (mS/mm)
300
드레인 포화전류(mA/mm)
>519
차단주파수(GHz)
>55
최대발진주파수 (GHz)
>100