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JKIEES, vol. 28, no. 9, pp.685-697, September, 2017
DOI. http://dx.doi.org/10.5515/KJKIEES.2017.28.9.685

Design and Fabrication of C-Band GaN Based on Solid State High Power Amplifier Unit for a Radar System 레이다용 C-대역 GaN 기반 고출력전력증폭장치 설계 및 제작

정형진․박지웅․진형석․임재환․박세준․강민우․강현철* Hyoung Jin Jung․Ji Woong Park․Hyoung SeokJin․Jae Hwan Lim․ Se Jun Park․Min Woo Kang․Hyun Chul Kang*
LIG넥스원 레이다연구소(Radar R&D Lab., LIGNex1) *알에프에이치아이씨(RFHIC)

In this paper, it is presented the result of design and fabrication for C-band solid state high power amplifier unit and components using in search radar. The solid state power amplifier(SSPA) assembly was fabricated using GaN(Gallium Nitride), which is semiconductor device, and the transmit signal output power of the solid state high power amplifier unit is generated by combining the transmit signal power of the solid state power amplifier configured in parallel through a design and fabricated waveguide type transmit signal combine assembler. Designed solid state high power amplifier unit demonstrated C-band 500 MHz bandwidth, maximum 10.5 % duty cycle, transmit pulse width from O.O??~OOO?? , and transmit signal power is 44.98 kW(76.53 dBm).

본 논문에서는 탐색 레이다에서 사용되는 C-대역의 고출력전력증폭장치 및 구성품의 설계, 제작과 측정에 대하여 기술하였다. 반도체 소자인 GaN(질화갈륨)을 적용하여 반도체전력증폭조립체를 설계 및 제작하였고, 설계 제작된 도파관형태의 송신신호결합조립체를 통해 병렬로 구성된 반도체전력증폭조립체의 송신신호 출력을 결합하여 고출력 송신신호출력을 발생한다. 제작된 고출력전력증폭장치는 C-대역 500 MHz 대역폭, 최대 10.5 % 듀티, 송신펄스폭 O.O~OOOμs에서 송신출력 44.98 kW(76.53 dBm) 이상이다.

Keyword : Key words: Solid State Power Amplifier, SSPA, GaN, C-Band, Search Radar

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